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| Numero di parte | BSD235CH6327XTSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 950mA, 530mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 950mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1.6µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.34nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 47pF @ 10V |
| Potenza - Max | 500mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT363-6 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSD235C L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 | - | 0 | Dettagli |
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BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V SOT363 | - | 3000 | Dettagli |
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BSD235N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 | - | 0 | Dettagli |
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BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 | - | 0 | Dettagli |