Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
Numero di parte | BSC117N08NS5ATMA1 |
---|---|
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 49A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 22µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 40V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7 mOhm @ 25A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |