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| Numero di parte | BSC077N12NS3GATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13.4A (Ta), 98A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 110µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5700pF @ 60V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7 mOhm @ 50A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON | - | 25000 | Dettagli |