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Numero di parte | BSC046N02KSGAUMA1 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Ta), 80A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 50A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 110µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27.6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 48W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |