AUIRF7343Q

MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
AUIRF7343Q P1
AUIRF7343Q P1
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Infineon Technologies ~ AUIRF7343Q

Numero di parte
AUIRF7343Q
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte AUIRF7343Q
Stato parte Obsolete
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO

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