2N7002DWH6327XTSA1

MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
2N7002DWH6327XTSA1 P1
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Infineon Technologies ~ 2N7002DWH6327XTSA1

Numero di parte
2N7002DWH6327XTSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- 2N7002DWH6327XTSA1 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte 2N7002DWH6327XTSA1
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 25V
Potenza - Max 500mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT363-6

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