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| Numero di parte | GB50MPS17-247 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1700V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 216A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 50A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 60µA @ 1700V |
| Capacità @ Vr, F | 3193pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-247-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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GB50MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 1700V 50A TO-247-2 | - | 783 | Dettagli |