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| Numero di parte | FQI2N30TU |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.1A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.13W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 Ohm @ 1.05A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FQI10N20CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQI10N60CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQI11N40TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQI11P06TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQI12N50TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQI12N60CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQI12N60TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQI13N06LTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQI13N06TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 13A I2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQI13N50CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK | - | 880 | Dettagli |
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FQI15P12TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQI16N25CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 15.6A I2PAK | 0 | Dettagli |