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| Numero di parte | FQB70N10TM_AM002 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 57A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3300pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.75W (Ta), 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 28.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FQB70N08TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQB70N10TM_AM002 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK | 0 | Dettagli |