FQA70N10

MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P
FQA70N10 P1
FQA70N10 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FQA70N10

Numero di parte
FQA70N10
fabbricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte FQA70N10
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3300pF @ 25V
Vgs (massimo) ±25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 35A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-3PN
Pacchetto / caso TO-3P-3, SC-65-3

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