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Numero di parte | FQA6N90C_F109 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1770pF @ 25V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 198W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 Ohm @ 3A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PN |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |