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| Numero di parte | FDS2170N3 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1292pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 128 mOhm @ 3A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FDS2070N3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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FDS2070N7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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FDS2170N3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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FDS2170N7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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FDS2572 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC | - | 22500 | Dettagli |
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FDS2582 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC | - | 10000 | Dettagli |
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FDS2670 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO | - | 2500 | Dettagli |
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FDS2672 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC | - | 5000 | Dettagli |
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FDS2672-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC | - | 10418 | Dettagli |
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FDS2672_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC | - | 52500 | Dettagli |
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FDS2734 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 3A 8-SOIC | - | 10000 | Dettagli |
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FDS3170N7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 6.7A 8-SOIC | 0 | Dettagli |