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| Numero di parte | FDMB2307NZ |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 800mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-MLP (2x3) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FDMB2307NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 6-MLP | - | 15000 | Dettagli |
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FDMB2308PZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH MLP2X3 | - | 6000 | Dettagli |
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FDMB3800N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET | - | 15000 | Dettagli |
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FDMB3900AN | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP | - | 9000 | Dettagli |
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FDMB3900N | ON Semiconductor | INTEGRATED CIRCUIT | - | 21108 | Dettagli |
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FDMB506P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET | 0 | Dettagli | |
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FDMB668P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8 | 0 | Dettagli |