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Numero di parte | FDD306P |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1290pF @ 6V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 52W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 6.7A, 4.5V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |