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Numero di parte | FDC5612_F095 |
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Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 25V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 4.3A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SuperSOT™-6 |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |