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| Numero di parte | FDB33N25TM |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2135pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 235W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 94 mOhm @ 16.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FDB33N25TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK | - | 9600 | Dettagli |
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FDB3502 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB | - | 800 | Dettagli |
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FDB3632 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | - | 1600 | Dettagli |
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FDB3632-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK | - | 28468 | Dettagli |
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FDB3632_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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FDB3632_SB82115 | ON Semiconductor | INTEGRATED CIRCUIT | - | 7095 | Dettagli |
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FDB3652 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB | - | 4800 | Dettagli |
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FDB3652-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK | - | 36700 | Dettagli |
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FDB3652_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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FDB3672 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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FDB3672-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK | - | 54150 | Dettagli |
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FDB3672_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK | - | 0 | Dettagli |