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| Numero di parte | ZXMP3A16N8TA |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.6A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29.6nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1022pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 4.2A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ZXMP10A13FQTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3 | - | 0 | Dettagli |
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ZXMP10A13FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3 | - | 0 | Dettagli |
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ZXMP10A16KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 3A DPAK | - | 10000 | Dettagli |
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ZXMP10A17E6QTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6 | - | 3000 | Dettagli |
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ZXMP10A17E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6 | - | 21000 | Dettagli |
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ZXMP10A17GQTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V SOT223 | - | 1000 | Dettagli |
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ZXMP10A17GQTC | Diodes Incorporated | MOSFET PCH 100V 1.7A SOT223 | - | 0 | Dettagli |
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ZXMP10A17GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223 | - | 0 | Dettagli |
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ZXMP10A17KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 2.4A DPAK | - | 2500 | Dettagli |
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ZXMP10A18GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223 | - | 27000 | Dettagli |
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ZXMP10A18K | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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ZXMP10A18KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK | - | 80000 | Dettagli |