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| Numero di parte | ZXMN2A02X8TC |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.2A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.6nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 11A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-MSOP |
| Pacchetto / caso | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ZXMN0545FFTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 450V SOT23F-3 | - | 0 | Dettagli |
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ZXMN0545G4TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223 | - | 19000 | Dettagli |
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ZXMN10A07FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | - | 3000 | Dettagli |
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ZXMN10A07FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | - | 0 | Dettagli |
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ZXMN10A07ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 | - | 5000 | Dettagli |
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ZXMN10A08DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC | - | 0 | Dettagli |
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ZXMN10A08DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC | - | 0 | Dettagli |
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ZXMN10A08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6 | - | 0 | Dettagli |
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ZXMN10A08E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6 | - | 0 | Dettagli |
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ZXMN10A08GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2A SOT223 | - | 106000 | Dettagli |
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ZXMN10A09KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 5A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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ZXMN10A11GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 | 0 | Dettagli |