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Numero di parte | ZXMHC6A07N8TC |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.39A, 1.28A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 1.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 166pF @ 40V |
Potenza - Max | 870mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |