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| Numero di parte | ZXM62N03GTA |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A (Ta), 4.7A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 2.2A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
| Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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ZXM61N02FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3 | - | 102000 | Dettagli |
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ZXM61N02FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3 | - | 20000 | Dettagli |
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ZXM61N03FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 | - | 15000 | Dettagli |
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ZXM61N03FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 | - | 0 | Dettagli |
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ZXM61P02FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3 | - | 114000 | Dettagli |
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ZXM61P02FTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3 | - | 0 | Dettagli |
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ZXM61P03FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 | - | 22284 | Dettagli |
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ZXM61P03FTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 | - | 0 | Dettagli |
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ZXM62N03E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6 | 0 | Dettagli | |
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ZXM62N03GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223 | - | 1000 | Dettagli |
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ZXM62P02E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 | - | 9000 | Dettagli |
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ZXM62P03E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6 | - | 48000 | Dettagli |