ZVNL110GTC

MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
ZVNL110GTC P1
ZVNL110GTC P1
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Diodes Incorporated ~ ZVNL110GTC

Numero di parte
ZVNL110GTC
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte ZVNL110GTC
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 600mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA

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