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| Numero di parte | S1MSP1-7 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 1.2µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
| Capacità @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | POWERDI®123 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI™ 123 |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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S1M | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA | - | 232500 | Dettagli |
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S1M M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC | - | 1279335 | Dettagli |
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S1M R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC | - | 890965 | Dettagli |
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S1M-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA | 0 | Dettagli | |
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S1M-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA | - | 505000 | Dettagli |
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S1M-26R2 | Taiwan Semiconductor Corporation | GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER | - | 25803 | Dettagli |
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S1M-26R2G | Taiwan Semiconductor Corporation | GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER | - | 25801 | Dettagli |
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S1M-26R3 | Taiwan Semiconductor Corporation | GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER | - | 10543 | Dettagli |
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S1M-26R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER | - | 25798 | Dettagli |
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S1M-E3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC | - | 22500 | Dettagli |
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S1M-E3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC | - | 12600 | Dettagli |
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S1M-F | SMC Diode Solutions | MODULAR | - | 25820 | Dettagli |