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| Numero di parte | GB0800004 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| genere | MHz Crystal |
| Frequenza | 8MHz |
| Stabilità di frequenza | ±30ppm |
| Tolleranza di frequenza | ±30ppm |
| Capacità di carico | 30pF |
| ESR (Equivalent Series Resistance) | 80 Ohm |
| Modalità operativa | Fundamental |
| temperatura di esercizio | -10°C ~ 70°C |
| Giudizi | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | HC49/US |
| Dimensione / Dimensione | 0.441" L x 0.197" W (11.20mm x 5.00mm) |
| Altezza - Seduto (max) | 0.138" (3.50mm) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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GB015Z101MA6N | AVX Corporation | CAP CER 100PF 50V X7R SMD | 0 | Dettagli | |
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GB01SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA | 0 | Dettagli | |
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GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A | 0 | Dettagli | |
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GB01SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC | 1853 | Dettagli | |
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GB01SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252 | 0 | Dettagli | |
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GB02SHT01-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 100V 4A | 45 | Dettagli | |
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GB02SHT03-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 300V 4A | 176 | Dettagli | |
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GB02SHT06-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 600V 4A | 54 | Dettagli | |
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GB02SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A | - | 0 | Dettagli |
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GB02SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA | 0 | Dettagli | |
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GB02SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220AC | 2692 | Dettagli | |
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GB02SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252 | 0 | Dettagli |