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Diodes Incorporated ~ DMTH6002LPS-13

Numero di parte	DMTH6002LPS-13
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130.8nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6555pF @ 30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	167W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerDI5060-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN

Numero di parte	Produttori	Descrizione	PDF	Disponibile	vista
DMTH6002LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060	-	72435	Dettagli
DMTH6004LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8	-	0	Dettagli
DMTH6004LPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506	-	0	Dettagli
DMTH6004SCT	Diodes Incorporated	MOSFET 60V 100A TO220-3	-	20	Dettagli
DMTH6004SCTB-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH	-	14400	Dettagli
DMTH6004SCTBQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 100A TO263	-	0	Dettagli
DMTH6004SK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK	-	10000	Dettagli
DMTH6004SK3Q-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 100A TO252	-	0	Dettagli
DMTH6004SPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8	-	0	Dettagli
DMTH6004SPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8	-	0	Dettagli
DMTH6005LCT	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 100A TO220AB	-	0	Dettagli
DMTH6005LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET 60V 90A DPAK	-	10000	Dettagli