DMTH10H015SPS-13

MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50
DMTH10H015SPS-13 P1
DMTH10H015SPS-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMTH10H015SPS-13

Numero di parte
DMTH10H015SPS-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- DMTH10H015SPS-13 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte DMTH10H015SPS-13
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.4A (Ta), 50.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.1nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2343pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta), 55W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI5060-8
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN

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