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| Numero di parte | DMT68M8LSS-13 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 28.9A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 13.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31.8nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2107pF @ 30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.9W (Ta) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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DMT68M8LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI506 | - | 193110 | Dettagli |
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DMT68M8LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO | - | 264924 | Dettagli |