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| Numero di parte | DMP56D0UFB-7 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.58nC @ 4V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50.54pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 425mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 100mA, 4V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| Pacchetto / caso | 3-UFDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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DMP510DL-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23 | - | 0 | Dettagli |
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DMP510DL-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23 | - | 3000 | Dettagli |
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DMP56D0UFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN | - | 3000 | Dettagli |
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DMP56D0UFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN | - | 200000 | Dettagli |
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DMP56D0UV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563 | - | 6000 | Dettagli |
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DMP57D5UFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 200MA 3-DFN | - | 0 | Dettagli |
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DMP57D5UV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563 | 0 | Dettagli | |
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DMP58D0LFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3 | - | 3000 | Dettagli |
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DMP58D0LFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN | - | 0 | Dettagli |
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DMP58D0SV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT-563 | - | 0 | Dettagli |