DMP45H150DHE-13

MOSFETP-CHAN 450VSOT223
DMP45H150DHE-13 P1
DMP45H150DHE-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMP45H150DHE-13

Numero di parte
DMP45H150DHE-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFETP-CHAN 450VSOT223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- DMP45H150DHE-13 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte DMP45H150DHE-13
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 450V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 250mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 59.2pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 13.9W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA

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