Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
| Numero di parte | DMP25H18DLFDE-13 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 260mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 3.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 81pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±40V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 600mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 Ohm @ 200mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP25H18DLFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 250V 0.26A DFN2020-6 | - | 0 | Dettagli |
 |
DMP25H18DLFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 250V 0.26A DFN2020-6 | - | 0 | Dettagli |