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| Numero di parte | DMN95H8D5HCTI |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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DMN95H2D2HCTI | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB | - | 30169 | Dettagli |
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DMN95H8D5HCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: >800V TO220AB | - | 0 | Dettagli |
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DMN95H8D5HCTI | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB | - | 42766 | Dettagli |