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Diodes Incorporated ~ DMN63D1LT-13

Numero di parte	DMN63D1LT-13
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	320mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	392nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	30pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	330mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-523
Pacchetto / caso	SOT-523

Numero di parte	Produttori	Descrizione	PDF	Disponibile	vista
DMN6013LFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8	-	0	Dettagli
DMN6013LFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8	-	2000	Dettagli
DMN6013LFGQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI	-	0	Dettagli
DMN6013LFGQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI	-	0	Dettagli
DMN6017SFV-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333	-	205203	Dettagli
DMN6017SK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252	-	241937	Dettagli
DMN601DMK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26	-	0	Dettagli
DMN601DWK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363	-	6000	Dettagli
DMN601DWKQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHAN 41V 60V SOT363	-	807109	Dettagli
DMN601K-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3	-	120000	Dettagli
DMN601TK-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523	-	0	Dettagli
DMN601VK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563	-	0	Dettagli