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| Numero di parte | DMN3900UFA-7B |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 550mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 42.2pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 390mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 760 mOhm @ 200mA, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | X2-DFN0806-3 |
| Pacchetto / caso | 3-XFDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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DMN3900UFA-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900 | - | 70000 | Dettagli |