DMN3730UFB4-7B

MOSFET BVDSS 25V-30V X1-DFN1006
DMN3730UFB4-7B P1
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Diodes Incorporated ~ DMN3730UFB4-7B

Numero di parte
DMN3730UFB4-7B
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET BVDSS 25V-30V X1-DFN1006
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte DMN3730UFB4-7B
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 750mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 460 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.6nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 64.3pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 470mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore X2-DFN1006-3
Pacchetto / caso 3-XFDFN

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