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Numero di parte | DMN2990UFB-7B |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 780mA (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 990 mOhm @ 100mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250A |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.41nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 31pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 520mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | X1-DFN1006-3 |
Pacchetto / caso | 3-UFDFN |