DMG4468LK3-13

MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252
DMG4468LK3-13 P1
DMG4468LK3-13 P1
Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.

Diodes Incorporated ~ DMG4468LK3-13

Numero di parte
DMG4468LK3-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- DMG4468LK3-13 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
  • In stock $ Quantità pz
  • Prezzo di riferimento : submit a request

Invia una richiesta di preventivo su quantità maggiori di quelle visualizzate.

Parametro del prodotto

Tutti i prodotti

Numero di parte DMG4468LK3-13
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.95V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.85nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 867pF @ 15V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.68W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 11.6A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-252-3
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

prodotti correlati

Tutti i prodotti