DMC2020USD-13

MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
DMC2020USD-13 P1
DMC2020USD-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMC2020USD-13

Numero di parte
DMC2020USD-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte DMC2020USD-13
Stato parte Active
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.8A, 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1149pF @ 10V
Potenza - Max 1.8W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO

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