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| Numero di parte | APT17NTR-G1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 480V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
| Corrente - Limite del collettore (max) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 10mA, 20V |
| Potenza - Max | 200mW |
| Frequenza - Transizione | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | 0 | Dettagli | |
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APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | 0 | Dettagli | |
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APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 0 | Dettagli |
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APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 14 | Dettagli |
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APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD | - | 0 | Dettagli |
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APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 3 | Dettagli |
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APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 0 | Dettagli |
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APT10035JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | - | 0 | Dettagli |
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APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | - | 7 | Dettagli |
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APT1003RBLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 | - | 30 | Dettagli |
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APT1003RKLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 | 0 | Dettagli | |
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APT10045B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX | - | 6 | Dettagli |