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| Numero di parte | 10A04-T |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 10A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
| Capacità @ Vr, F | 150pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | R6, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | R-6 |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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10A01-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 50V 10A R6 | - | 500 | Dettagli |
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10A01-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 50V R-6 | - | 0 | Dettagli |
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10A015 | Microsemi Corporation | TRANS RF BIPO 6W 750MA 55FT2 | - | 0 | Dettagli |
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10A02-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 10A R6 | - | 15457 | Dettagli |
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10A030 | Microsemi Corporation | TRANS RF BIPO 13W 1.5A 55FT2 | - | 0 | Dettagli |
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10A04-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 10A R6 | - | 18500 | Dettagli |
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10A05-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 10A R6 | - | 3500 | Dettagli |
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10A06-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 800V 10A R6 | - | 0 | Dettagli |
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10A060 | Microsemi Corporation | TRANS RF BIPO 21W 3A 55FT-2 | - | 0 | Dettagli |
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10A07-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 1KV 10A R6 | - | 89500 | Dettagli |
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10AS016C3U19E2LG | Altera | IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA | - | 0 | Dettagli |
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10AS016C3U19E2SG | Altera | IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA | - | 0 | Dettagli |