CEFB105-G

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
CEFB105-G P1
CEFB105-G P2
CEFB105-G P1
CEFB105-G P2
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Comchip Technology ~ CEFB105-G

Numero di parte
CEFB105-G
fabbricante
Comchip Technology
Descrizione
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
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Numero di parte CEFB105-G
Stato parte Obsolete
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Corrente - Rettificato medio (Io) 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 1A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AA (SMB)
Temperatura operativa - Giunzione 150°C (Max)

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