CDBD2SC21200-G

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
CDBD2SC21200-G P1
CDBD2SC21200-G P1
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Comchip Technology ~ CDBD2SC21200-G

Numero di parte
CDBD2SC21200-G
fabbricante
Comchip Technology
Descrizione
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
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Numero di parte CDBD2SC21200-G
Stato parte Active
Tipo diodo Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Corrente - Rettificato medio (Io) 6.2A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 2A
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F 136pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak)
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 175°C

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