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| Numero di parte | VP2206N2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 750mA (Tj) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 3.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 |
| Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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VP2-0066-R | Eaton | INDUCT ARRAY 6 COIL 3.2UH SMD | 300 | Dettagli | |
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VP2-0083-R | Eaton | INDUCT ARRAY 6 COIL 4.1UH SMD | 300 | Dettagli | |
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VP2-0116-R | Eaton | INDUCT ARRAY 6 COIL 5.7UH SMD | 600 | Dettagli | |
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VP2-0216-R | Eaton | INDUCT ARRAY 6 COIL 10.6UH SMD | 1800 | Dettagli | |
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VP2-1600-R | Eaton | INDUCT ARRAY 6 COIL 78.4UH SMD | 2100 | Dettagli | |
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VP2106N3-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3 | - | 2465 | Dettagli |
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VP2110K1-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3 | - | 0 | Dettagli |
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VP2206N2 | Microchip Technology | MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39 | - | 166 | Dettagli |
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VP2206N3-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3 | - | 1160 | Dettagli |
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VP2206N3-G-P003 | Microchip Technology | MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3 | - | 0 | Dettagli |
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VP2450N3-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3 | - | 1037 | Dettagli |
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VP2450N8-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 500V 0.16A SOT89-3 | - | 2000 | Dettagli |