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| Numero di parte | TN5325N3-G-P002 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 215mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 740mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 Ohm @ 1A, 10V |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
| Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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TN5325K1-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 250V SOT23-3 | - | 0 | Dettagli |
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TN5325N3-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3 | - | 1352 | Dettagli |
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TN5325N3-G-P002 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3 | - | 0 | Dettagli |
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TN5325N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 250V 0.316A SOT89-3 | - | 0 | Dettagli |