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| Numero di parte | TC8020K6-G-M937 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 6 N and 6 P-Channel |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Potenza - Max | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 56-VFQFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 56-QFN (8x8) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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TC8020K6-G | Microchip Technology | MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN | - | 2498 | Dettagli |
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TC8020K6-G-M937 | Microchip Technology | MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN | - | 0 | Dettagli |