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| Numero di parte | BLF8G10LS-300PJ |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | LDMOS (Dual), Common Source |
| Frequenza | 760.5MHz ~ 800.5MHz |
| Guadagno | 20.5dB |
| Voltaggio - Test | 28V |
| Valutazione attuale | - |
| Figura di rumore | - |
| Corrente - Test | 2A |
| Potenza - Uscita | 65W |
| Tensione - Rated | 65V |
| Pacchetto / caso | SOT539B |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT539B |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BLF8G09LS-270GWJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C | 0 | Dettagli | |
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BLF8G09LS-270GWQ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C | 0 | Dettagli | |
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BLF8G09LS-270WJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244B | 0 | Dettagli | |
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BLF8G09LS-270WU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244B | 0 | Dettagli | |
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BLF8G09LS-400PGWJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C | 100 | Dettagli | |
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BLF8G09LS-400PGWQ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C | 60 | Dettagli | |
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BLF8G09LS-400PWJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B | 100 | Dettagli | |
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BLF8G09LS-400PWU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B | 0 | Dettagli | |
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BLF8G10L-160,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A | 0 | Dettagli | |
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BLF8G10L-160,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A | 0 | Dettagli | |
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BLF8G10LS-160,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B | 0 | Dettagli | |
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BLF8G10LS-160,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B | 0 | Dettagli |