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| Numero di parte | BLF642,112 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | LDMOS |
| Frequenza | 1.3GHz |
| Guadagno | 19dB |
| Voltaggio - Test | 32V |
| Valutazione attuale | - |
| Figura di rumore | - |
| Corrente - Test | 200mA |
| Potenza - Uscita | 35W |
| Tensione - Rated | 65V |
| Pacchetto / caso | SOT467C |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT467C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BLF640U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | 32 | Dettagli | |
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BLF642,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT467C | 93 | Dettagli | |
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BLF644PU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A | 44 | Dettagli | |
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BLF645,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A | 1416 | Dettagli | |
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BLF647,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT540A | 0 | Dettagli | |
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BLF647P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A | 433 | Dettagli | |
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BLF647PS,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | 38 | Dettagli | |
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BLF647PSJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | 0 | Dettagli | |
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BLF6G05LS-200RN,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B | 0 | Dettagli | |
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BLF6G05LS-200RN:11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B | - | 0 | Dettagli |
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BLF6G10-135RN,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A | 0 | Dettagli | |
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BLF6G10-160RN,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A | 0 | Dettagli |