AOI2210

MOSFET N-CH
AOI2210 P1
AOI2210 P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOI2210

Numero di parte
AOI2210
fabbricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione
MOSFET N-CH
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte AOI2210
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta), 18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2065pF @ 100V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 18A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-251A
Pacchetto / caso TO-251-3 Stub Leads, IPak

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