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Numero di parte | AOD421_001 |
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Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 18.8W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 12.5A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |