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BOM

AOC2802_001

MOSFET 2N-CH 4WLCSP
Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Array › AOC2802_001
AOC2802_001 P1
AOC2802_001 P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOC2802_001

Numero di parte
AOC2802_001
fabbricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione
MOSFET 2N-CH 4WLCSP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- AOC2802_001 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte AOC2802_001
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V
Potenza - Max 1.3W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 4-UFBGA, WLCSP
Pacchetto dispositivo fornitore 4-WLCSP (1.57x1.57)

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