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| Numero di parte | BARO-DO |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo di pressione | Absolute |
| Pressione di esercizio | 8.7 PSI ~ 15.95 PSI (60 kPa ~ 110 kPa) |
| Tipo di uscita | SPI |
| Produzione | 12 ~ 14 b |
| Precisione | ±2% |
| Tensione - Fornitura | 7V |
| Dimensione della porta | Male - 0.19" (4.8mm) Tube, Dual |
| Stile della porta | Barbless |
| Caratteristiche | Temperature Compensated |
| Stile di terminazione | PCB |
| Pressione massima | 60 PSI (413.69 kPa) |
| temperatura di esercizio | -20°C ~ 85°C |
| Pacchetto / caso | 6-SIP Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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BAR 14-1 E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF DUAL 100V 140MA SOT-23 | - | 6000 | Dettagli |
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BAR 15-1 E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF DUAL 100V 140MA SOT-23 | - | 6000 | Dettagli |
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BAR 50-02L E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SGL 50V 100MA TSLP-2 | - | 0 | Dettagli |
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BAR 50-02V E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SGL 50V 100MA SC-79 | - | 0 | Dettagli |
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BAR 50-02V E6768 | Infineon Technologies | DIODE SIL PIN 50V 100MA SC-79 | - | 0 | Dettagli |
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BAR 50-02V H6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 50V 100MA SC79 | - | 0 | Dettagli |
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BAR 61 E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF DUAL 100V 140M SOT-143 | - | 0 | Dettagli |
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BAR 63-02V E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SGL 50V 100MA 50V SC-79 | - | 0 | Dettagli |
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BAR 63-02V H6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 50V 100MA SC79 | - | 42000 | Dettagli |
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BAR 63-02W E6127 | Infineon Technologies | DIODE RF SGL 50V 100MA SCD-80 | - | 0 | Dettagli |
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BAR 63-02W E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SGL 50V 100MA SCD-80 | - | 0 | Dettagli |
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BAR 63-02W E6433 | Infineon Technologies | DIODE RF SGL 50V 100MA SCD-80 | - | 0 | Dettagli |