ALD1108EPCL

MOSFET 4N-CH 10V 16DIP
ALD1108EPCL P1
ALD1108EPCL P1
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Advanced Linear Devices Inc. ~ ALD1108EPCL

Numero di parte
ALD1108EPCL
fabbricante
Advanced Linear Devices Inc.
Descrizione
MOSFET 4N-CH 10V 16DIP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte ALD1108EPCL
Stato parte Active
Tipo FET 4 N-Channel, Matched Pair
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 10V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 Ohm @ 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.01V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 5V
Potenza - Max 600mW
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore 16-PDIP

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